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以碳化硅为代表的第三代半导体
作者 金岭环保
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发布时间 17-08-05
以碳化硅为代表的第三代半导体，与单晶硅和砷化镓等传统半导体材料相比，具有明显的优势，如高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能、高化学稳定性、抗辐射性强等，决定了碳化硅在诸多领域有着不可替代的地位。主要如下：
1、 SiC具有高热导率（达到4.9W/cm*K），是Si的3.3倍。因此，SiC材料散热效果好，理论上，SiC功率器件可在175℃结温下工作，因此散热器的体积可以显著减小，适合用来制作高温器件。
2、 SiC具有高的击穿场强，其击穿电场是Si的10倍，因而适用于高压开关，最大功率处理能力强，使得SiC材料适于制作大功率、大电流器件。
3、 SiC具有高的饱和电子漂移速率，其数值是Si的2倍，在高场下几乎不发生衰减，其高场处理能力强，因此，SiC材料适用于高频器件。
碳化硅单晶在制备技术上也是第三代半导体材料中最成熟的，因此SiC是制作高温、高频、大功率、高压器的理想材料之一。
