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以碳化硅为代表的第三代半导体

作者 润泰环保 浏览 发布时间 17-08-05

 

      以碳化硅为代表的第三代半导体,与单晶硅和砷化镓等传统半导体材料相比,具有明显的优势,如高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能、高化学稳定性、抗辐射性强等,决定了碳化硅在诸多领域有着不可替代的地位。主要如下:

      1、         SiC具有高热导率(达到4.9W/cm*K),是Si3.3倍。因此,SiC材料散热效果好,理论上,SiC功率器件可在175℃结温下工作,因此散热器的体积可以显著减小,适合用来制作高温器件。

      2、         SiC具有高的击穿场强,其击穿电场是Si10倍,因而适用于高压开关,最大功率处理能力强,使得SiC材料适于制作大功率、大电流器件。

      3、         SiC具有高的饱和电子漂移速率,其数值是Si2倍,在高场下几乎不发生衰减,其高场处理能力强,因此,SiC材料适用于高频器件。

      碳化硅单晶在制备技术上也是第三代半导体材料中最成熟的,因此SiC是制作高温、高频、大功率、高压器的理想材料之一。